hotline
0519-85112622一、 可控硅開關(guān)特點
一般用于TSC技術(shù)的低壓動態(tài)補償用的可控硅開關(guān)都采用大功率晶閘管反并聯(lián)封裝,其額定電流可達數(shù)百安培,反向耐壓可達1800v以上。由于其具有電力電子器件的特性,因此在通過檢測電壓過零點時給可控硅觸發(fā)信號實現(xiàn)無觸點、無涌流投切,并且響應(yīng)時間快,在半個波形周期內(nèi)就能實現(xiàn)觸發(fā)導(dǎo)通。由于可控硅屬半導(dǎo)體器件,通態(tài)電流比較大時,會有一定的發(fā)熱。
復(fù)合開關(guān)因交流接觸器與可控硅的相互制約導(dǎo)致無法實現(xiàn)較大的通態(tài)電流,反向耐壓只能達到1600v并且投切過程復(fù)雜,可控硅開斷頻繁,容易被擊穿,造成故障率較高,一般用于農(nóng)網(wǎng)臺區(qū)的小容量補償。
首先從運行維護上考慮,通常用三只單相的可控硅固定在鋁合金強制風(fēng)冷散熱模塊上,后期維護方便,如出現(xiàn)某只可控硅損壞可快速更換,其他可控硅可繼續(xù)使用。由于復(fù)合開關(guān)采用交流接觸器與可控硅小形三端封裝,如內(nèi)部任意部件出現(xiàn)故障,只能將整體更換,后期維護費用高。
從造價上考慮,假設(shè)某一套補償裝置容量360kvar,如采用復(fù)合開關(guān),其單組最大容量為30kvar,也就是該套裝置需要分12個支路,而選用可控硅作為投切開關(guān),其最大單組容量為90kvar,如按照30+60+90+90+90分組可在實現(xiàn)同樣補償效果的前提下減少7個支路,因此減小了一定的造價。
從安裝上考慮,在配電抗器的前提下,以1000*1000*2200的GCK柜體為例,采用復(fù)合開關(guān)安裝12支路,將需要兩面柜體。如采用可控硅作為投切開關(guān)只需一面柜體即可。
四、 希拓電氣可控硅開關(guān)
STT標(biāo)準(zhǔn)型晶閘管投切模塊技術(shù)源自德國,我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進制造工藝的基礎(chǔ)上,研制出了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管,觸發(fā)電路,吸收電路,保護電路,智能型散熱片組成。自主專利技術(shù)保證電壓過零觸發(fā),電流過零斷開,真正實現(xiàn)投切無涌流,跟隨速度快,有效補償沖擊性負(fù)荷,平均響應(yīng)時間小于15ms,很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。