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0519-85112622在400V低壓中,我們常選擇低壓無功補償柜來補償無功,提高功率因數(shù)。而電容器、電抗器、控制器和投切開關(guān)就是包含在低壓無功補償柜中的重要元件。這里重點講一下投切開關(guān)的選擇問題。
投切開關(guān)里包含三類:電容器投切接觸器、晶閘管開關(guān)、復(fù)合開關(guān)。
不同的投切開關(guān)他的響應(yīng)速度是不一樣的。可控硅開關(guān)投切速度快,接觸器的響應(yīng)速度慢。不同的投切開關(guān)會影響電容器的涌流,以可控硅為基礎(chǔ)的投切開關(guān)限制涌流在3%以內(nèi),接觸器是20%以內(nèi)。
不同投切開關(guān)會導(dǎo)致造價成本的差異。從價格角度上來講接觸器相對便宜,可控硅比較貴,從效果上接觸器是最差的,如果是要對涌流的抑制效果,接觸器是最差的,如果現(xiàn)場負載變化非常大,對無功的需求變化是非常大,需要無功補償需求能夠跟得上無功補償?shù)淖兓@時可控硅是合適的。
小結(jié):價格是不一樣,一般來講接觸器是最便宜,可控硅是最貴;但又希望開關(guān)快速投切,所以只要討論無功補償方案,一定要考慮現(xiàn)場負載情況和應(yīng)用場景。
希拓電氣晶閘管投切模塊(單相)技術(shù)源自德國,我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進制造工藝的基礎(chǔ)上,研制出了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管,觸發(fā)電路,吸收電路,保護電路,智能型散熱片組成。自主專利技術(shù)保證電壓過零觸發(fā),電流過零斷開,真正實現(xiàn)投切無涌流,跟隨速度快,有效補償沖擊性負荷,平均響應(yīng)時間小于18ms,很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。